「LODAS™ – AI50/100」

特徴：

• 半導体用Photomask Blanks出荷検査、プロセス評価
• 微分干渉顕微鏡にて欠陥解析
• 検査対象：Photomask Substrate、Cr、Resist、MoSi
• 検査項目：パーティクル、内部欠陥（Option）
• 検査感度：PDM欠陥サイズ0.1μm（AI100）

「LODAS™ – BI8」

特徴：

• クローム膜、ハーフトン膜、レジスト膜が検査可能
• 白欠陥、黒欠陥の自動判別
• 表面欠陥だけでなく、内部欠陥、裏面欠陥も同時検査。
• 欠陥分析を助ける4種類のReview画像。
• 「AI Classify」が欠陥分類、良否判定を行う。
• メンテナンスフリー。
• 世界初！反射散乱光、透過散乱光、共焦点光を用いたハイブリッド検査装置。
• 今まで検査漏れしていた欠陥もしっかり検査。

対象欠陥: パーティクル、スクラッチ、ピット、気泡。

仕様：

• 検査レーザー： 405nm 200mW LaserDiode
• 検査時間：180sec
• 検査対象：6inch　Photomask blanks
• 装置サイズ：WxDxH=450x500x730ｍｍ
• ユーティリティー: AC100V~200V 10A

「LODAS™ – BI12」

特徴：

• Glass Waferの出荷検査、プロセス評価
• 表裏面・内部欠陥の同時検査
• 微分干渉顕微鏡にて欠陥表裏面欠陥判定・解析
• 検査対象：12 inch、8 inch、6 inch、Glass Wafer
• 検査項目：表裏面のパーティクル、内部欠陥

「LODAS™ – CI8」

特徴：

• SiC単結晶ウエハ,EPIウエハ両方検査可能。
• 表面欠陥だけでなく、内部欠陥、裏面欠陥も同時検査。
• 欠陥分析を助ける4種類のReview画像。
• 「AI Classify」が欠陥分類、良否判定を行う。
• メンテナンスフリー。
• 世界初！反射散乱光、透過散乱光、共焦点光を用いたハイブリッド検査装置。
• 今まで検査漏れしていた欠陥もしっかり検査。

対象欠陥：パーティクル、スクラッチ、結晶欠陥。

仕様：

• 検査レーザー： 405nm 200mW
• 検査時間：200sec（サイズ：4inch）
• 検査対象：2inch,3inch,4inch,6inch
• 装置サイズ：WxDxH=450x500x730ｍｍ
• ユーティリティー: AC100V~200V 10A

「LODAS™ – LIシリーズ」

特徴：

• A面、B面同時検査
• G10、G8、G6　サイズ対応可能
• 微分干渉顕微鏡にて表裏面欠陥判定・解析
• 検査対象：FPD Photomask Substrate、Cr、Resist Blanks
• 検査項目：表裏面パーティクル、内部欠陥

「LODAS™ – BOIS」

特徴：

• 顧客の洗浄機、研磨機、成膜装置等に合わせ,様々なプロセスシーンの結果検査に活用できる。
• 余分なプロセス処理を省き、処理時間・コストを削減。
• 検査装置は導入することなく,省スペース・省コストで品質アップできる。
• インターフェースはRS232、IO、Ethernet等に対応、簡単に周辺装置とドッキング可能。

対象欠陥：　パーティクル、傷、Pit、等。

仕様：

• 検査レーザー： 405nm 200mW LaserDiode
• 検査感度：100nmPSL以上（顧客ニーズにより変更可能）
• 検査対象：Si Wafer,化合物半導体Wafer,ガラス基板等
• ユニットサイズ：WxDxH = 250x200x500ｍｍ

弊社検査装置のメンテナンス・修理

• 装置セットアップ完了直後の性能維持を定期的サポートします。
• オンコールサービス対応。年中無休に安心サポートします。 電話番号:03-6451-4379 平日(9:00～17:00)
• 新しい要望に真摯に対応します。
• 顧客自ら保守・部品交換できるよう技術セミナー開催・マニュアル完備を充実します。
• HDD、レーザー光源等消耗品の無償診断サービスにてサポートします。