「LODAS™ – AI50/100」

特征：

• 半导体用Photomask Blanks的出厂检查、工艺评价
• 用微分干涉显微镜分析缺陷
• 检查对象：Photomask Substrate、Cr、Resist、MoSi
• 检查项目：颗粒、内部缺陷（Option）
• 检查灵敏度：PDM缺陷尺寸0.1μm（AI00）

「LODAS™ – BI8」

特征：

• 可检查铬膜、半色调膜、光阻膜
• 白缺陷、黑缺陷的自动判别
• 不仅是表面缺陷，内部缺陷和背面缺陷也同时检查。
• 有助于缺陷分析的4种Review图像。
• “AI Classify”进行缺陷分类、好坏判定。
• 免维护。
• 世界首次！使用反射散射光、透射散射光、共聚焦光的混合检查装置。
• 能检出至今为止检查不出的缺陷。

检出缺陷：颗粒、划痕、凹坑、气泡。

规格：

• 检查激光：405nm 200mW LaserDiode
• 检查时间：180sec
• 检查对象：6英寸 Photomask blanks
• 设备尺寸：WxDxH＝450x500x730mm
• 使用电源：AC100V~200V 10A

「LODAS™ – BI12」

特征：

• Glass Wafer的出货检查、过程评价
• 可同时检查表面，背面和内部的缺陷
• 用微分干涉显微镜判断、分析表面和背面的缺陷
• 检查对象：12inch、8inch、6inch、Glass Wafer
• 检查项目：表面和背面的颗粒、内部缺陷

「LODAS™ – CI8　」

特征：

• SiC单晶晶圆和EPI晶圆都可以检查。
• 不仅是表面缺陷，内部缺陷和背面缺陷也同时检查。
• 有助于缺陷分析的4种Review图像。
• “AI Classify”进行缺陷分类、好坏判定。
• 免维护。
• 世界首次！使用反射散射光、透射散射光、共聚焦光的混合检查装置。
• 能检出至今为止检查不出的缺陷。

检出缺陷：颗粒、划痕、结晶缺陷。

规格：

• 检查激光：405nm 200mW
• 检查时间：200sec（尺寸：4英寸）
• 检查对象：2英寸、3英寸、4英寸、6英寸
• 设备尺寸：WxDxH＝450x500x730mm
• 使用电源：AC100V~200V 10A

「LODAS™ – LI系列」

特征：

• A面、B面同时检查
• 可支持G10、G8、G6尺寸
• 用微分干涉显微镜判断、分析表面和背面缺陷
• 检查对象：FPD Photomask Substrate、Cr、Resist Blanks
• 检查项目：表面和背面颗粒、内部缺陷

「LODAS™ – BOIS」

特征：

• 可配合客户的清洗机、研磨机、成膜装置等，用于各种工艺场景的结果检查。
• 省略多余的处理，减少处理时间和成本。
• 不需引进检查装置，可以节省空间，节省成本，提高品质。
• 提供RS232、IO、Ethernet等接口，可以简单地与周边装置对接。

检出缺陷：颗粒、划痕、凹坑等。

规格：

• 检查激光：405nm 200mW LaserDiode
• 检查灵敏度：100nmPSL以上（可根据客户需求进行变更）
• 检查对象：Si Wafer，化合物半导体Wafer，玻璃基板等
• 单元尺寸：WxDxH＝250x200x500mm

本公司检查装置的维护、修理

• 定期支持装置安装完成后的性能维持。
• 24小时电话对应，全年无休的安心支持。 电话号码:03-6451-4379 平日(9:00～17:00)
• 认真对待客户新的要求。
• 召开技术研讨会和充实各种手册，让顾客能够自行维护和更换零件。
• 提供HDD、激光光源等消耗品的免费诊断服务。